Связаться с приемной комиссией
Меню раздела
Основное меню
В РХТУ им. Д. И. Менделеева на кафедре химии и технологии кристаллов при тесном сотрудничестве с малым инновационным предприятием ООО «АРМОЛЕД» разработана технология получения оксида бора(III) с уникальными характеристиками. Продукт выпускается в двух видах: в виде порошкового препарата и в виде аморфных отливок.
Суммарное содержание 32 примесных элементов не превышает 1·10⁻⁴ мас.%, что позволяет классифицировать данный продукт по международной шкале как 6N. Но не менее важна и вторая характеристика – контролируемое содержание остаточной воды на уровне от 5 до 500·10⁻⁴ мас.%. Следует отметить, что на открытом рынке препарат с такой химической чистотой не предлагают.
Продукт в виде порошка востребован как компонент исходной шихты для выращивания нелинейно-оптических кристаллов трибората лития (LBO) и бета-бората бора (BBO). Аморфные отливки различной конфигурации – от цилиндрических таблеток диаметром 50-140 мм до усеченных конусов тех же диаметров – используются в качестве материала флюса при выращивании кристаллов арсенида галлия, арсенида индия, фосфида галлия. Они предотвращают испарение летучих компонентов шихты. При этом остаточная вода служит транспортным агентом, который осуществляет эффективный массоперенос в газовой фазе в ростовой установке.
В России продукцию уже используют АО «Гиредмет», АО «НПП «ИНЖЕКТ», ООО «ЛАССАРД» – производители монокристаллов арсенидов и фосфидов галлия и индия, а также ООО «Лазеруан», ООО «Кристаллы Сибири», ЗАО «Сибирский монокристалл – ЭКСМА» – ведущие производители нелинейно-оптических кристаллов для лазерных технологий.
ООО «ЛАССАРД» при поддержке ООО «АРМОЛЕД» разработал конструкторскую документацию и организовал производство многотигельных (трехтигельных) установок для выращивания монокристаллов арсенида галлия и германия методом VGF. За один процесс возможно получение трех кристаллов диаметром 100 мм или трех кристаллов диаметром 150 мм с длиной цилиндрической части от 150 до 200 мм.
Отличительная особенность технологии заключается в получении безблочных структурно совершенных монокристаллов (плотность дислокаций менее 2000 см⁻²) с заданной кристаллографической ориентацией, которые можно обрабатывать без дополнительного отжига.
В сопровождении технологии в ННГУ им. Н. И. Лобачевского разработана технология плазмохимического синтеза высокочистых поликристаллических слитков арсенида галлия с химической чистотой 7N (по 32 примесным элементам).
РХТУ им. Д. И. Менделеева реализовал проект по разработке и организации производства высокочистого оксида бора(III) с химической чистотой 6N (по 32 примесным элементам) с контролируемым содержанием остаточной воды 100, 300, 500 ppm. Оксид бора выпускается в виде отливок цилиндрической формы, а также в виде усеченного конуса и служит материалом флюса для выращивания монокристаллов GaAs методом VGF.
ООО «АРМОЛЕД» разработал и аттестовал методики измерения содержания примесных элементов в высокочистых GaAs и B₂O₃, а также остаточной воды в B₂O₃.
Таким образом, благодаря совместной работе ученых РХТУ, специалистов МИП «АРМОЛЕД» и промышленных партнеров в России создана полноценная технологическая цепочка: от синтеза исходного высокочистого сырья до производства современных установок для выращивания кристаллов. Эти разработки укрепляют технологический суверенитет страны в области фотоники и электроники.
