Связаться с приемной комиссией

Меню раздела

Основное меню

Преподаватели и работники

Пустовалова Алла Александровна

Занимаемые должности

Научный сотрудник (Научно-образовательная лаборатория “Электроактивные материалы и химические источники тока”)

Телефон

+7 (499) 978-97-18

E-mail

pustovalova.a.a@muctr.ru

Сайт https://muctr.ru
Уровень образования Высшее
Квалификация

Материаловед

Учёная степень

Кандидат физико-математических наук

Наименование направления подготовки и (или) специальности

Физика конденсированного состояния

Общий стаж работы 11 лет (с 19.10.2012)
Стаж работы по специальности 11 лет (с 19.10.2012)

Научные интересы:

С 2011 по 2017 года занималась синтезом и исследованием структуры и свойств тонких плёнок на основе легированного TiO2 (ТПУ, г. Томск). В 2019 занималась разработкой и исследованием новых катодных материалов на основе Li2FeSiO4 для литий-ионных аккумуляторов в ENV New Energy Technology Research Institute Co., Ltd (Китай). С 2020 по 2021 занималась синтезом органо-неорганических галогенидных перовскитов (порошков, плёнок, кристаллов) и исследованием их структуры, оптических и фотоэлектронных свойств, а также разработкой концепции повышения стабильности перовскитных солнечных элементов и способов инкапсуляции для их защиты (МГУ, г. Москва). В настоящее время основное научное направление – разработка DSA (dimensionally stable anode) для повышения ресурса проточных батарей (РХТУ им. Д.И. Менделеева, г. Москва).

Научные контакты:

МГУ имени М.В. Ломоносова, Томский политехнический университет

Награды и премии:

  • Стипендия P.L.U.S. - Выполнение научных исследований в ведущих мировых университетах, Технологический институт Карлсруэ, Карлсруэ, Германия (2015);
  • Стипендия P.L.U.S. - Выполнение научных исследований в ведущих мировых университетах, Институт Фраунгофера IKTS-MD, Дрезден, Германия (2014)
  • Стипендия Л. Эйлера (DAAD) - Университет Дуйсбург-Эссен, Эссен, Германия (2013)

Публикации

Pustovalova A., Boytsova E., Aubakirova D., Bruns M., Tverdokhlebov S., Pichugin, V. Formation and structural features of nitrogen-doped titanium dioxide thin films grown by reactive magnetron sputtering. Applied Surface Science, 534 (2020): 147572. (IF= 6.18, WoS, Scopus, Q1).

Pustovalova, A. A., Pichugin, V. F., Ivanova, N. M., Bruns, M. Structural features of N-containing titanium dioxide thin films deposited by magnetron sputtering. Thin solid films 627 (2017): 9-16. (IF= 2.03, WoS, Scopus, Q2).

Top